Applicazione
Il forno di diffusione dell'ossidazione è un'attrezzatura di processo chiave per la produzione di cellule fotovoltaiche. Mescola e diffonde tracce di boro, fosforo e altri elementi sul wafer di silicio ad alte temperature per preparare le giunzioni PN e compone circuiti integrati da esso. Può anche essere usato per preparare i film di siOX sulla superficie del wafer di silicio per proteggere i wafer. Ogni zona di temperatura specificata ha una termocoppia esterna e interna per assicurarsi che i risultati della misura siano affidabili. Le termocoppie in quarzo metallico nobile multipunta vengono utilizzate per misurare la temperatura del wafer, ha comunemente 3 ~ 9 punti di misura, che rappresentano accuratamente la temperatura del wafer.
Descrizione dei prodotti
A tal fine, i Duchin hanno sviluppato tecniche proprietarie e prodotti come la termocoppia di quarzo metallico nobile multipint per la misurazione della temperatura dell'intera sezione nel forno di diffusione, un dispositivo di calibrazione per la termocoppia a più punti.
Il prodotto ha alcuni tratti di misurazione della temperatura affidabile, alta precisione, buona stabilità, risposta termica rapida, anti-interferenza, resistenza all'impatto ad alta e bassa temperatura, durata di lunga durata e così via. I parametri tecnici della termocoppia del profilo semiconduttore sono i seguenti:
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Parametri tecnici |
Termocoppia del profilo semiconduttore |
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Tipo |
S,R |
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Diametro del filo o dei mims |
φ0.35~0.5 |
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Temp (laurea) di lavoro |
0~1100 |
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Accuratezza (laurea) |
±1.0 |
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Lunghezza del tubo protettivo (mm) |
Meno o uguale a 4000 |
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Diametro del tubo protettivo (mm) |
φ12~18 |
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Materiale del tubo protettivo |
Quarzo |
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Struttura di fine calda |
Esposto |
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Numero di punti |
3 ~ 6 punti |
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Terminazione |
Piccolo connettore |
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Filo di compensazione |
Sc {{0}} × 0.5fpf |
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Caratteristiche della struttura |
Assemblare T/C in combinazione per ogni punto è piuttosto difficile |
Dettagli del prodotto



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