Descrizione dei prodotti
Il forno di diffusione dell'ossidazione è un'attrezzatura di processo chiave per la produzione di cellule fotovoltaiche. Mescola e diffonde tracce di boro, fosforo e altri elementi sul wafer di silicio ad alte temperature per preparare le giunzioni PN e compone circuiti integrati da esso. Può anche essere utilizzato per preparare i film SIOX sulla superficie del wafer di silicio per proteggere i wafer.
È comune usare le termocoppie che misurano sia le parti interne che quelle esterne del forno per controllare la temperatura interna del forno di diffusione che potrebbe eseguire il processo di ossidazione. Ogni zona di temperatura specificata ha una termocoppia esterna e interna per assicurarsi che i risultati della misura siano affidabili. Le termocoppie interne vengono utilizzate per misurare la temperatura del wafer, ha comunemente 3 ~ 9 punti di misura, che rappresentano accuratamente la temperatura del wafer. Le termocoppie esterne sono usate per percepire la superficie esterna del tubo del forno, ognuna comunemente ha solo una coppia di fili, per dare una misurazione indiretta del forno. Di solito, la temperatura del processo di ossidazione è inferiore al processo di diffusione, pertanto potrebbe essere distribuita la termocoppia BF multipoint di tipo K e N.
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Parametri tecnici |
Termocoppia BF multipoint principale |
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Dentro |
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Tipo |
K,N |
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Diametro del filo o dei mims |
φ2~4 |
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Temp (laurea) di lavoro |
0~950 |
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Accuratezza (laurea) |
± 1,5 o 0. 4%· t |
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Lunghezza del tubo protettivo (mm) |
Meno o uguale a 4000 |
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Diametro del tubo protettivo (mm) |
φ14~22 |
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Materiale del tubo protettivo |
310s o 321 |
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Struttura di fine calda |
Isolato |
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Numero di punti |
3 ~ 9 punti |
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Terminazione |
Piccolo connettore |
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Filo di compensazione |
Kx (nx) {{0}} × 0.5fpf |
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Caratteristiche della struttura |
Facile da smontare, T/C per qualsiasi punto può essere rimosso se necessario |
Dettagli del prodotto



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