Profilo Termocoppia|Sensore di temperatura wafer per forno a semiconduttore tipo S/R
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Profilo Termocoppia|Sensore di temperatura wafer per forno a semiconduttore tipo S/R

Profilo Termocoppia|Sensore di temperatura wafer per forno a semiconduttore tipo S/R

Intervallo di temperatura di riscaldamento: ambiente-1100 gradi
Velocità di riscaldamento massima: 15 gradi/min
Velocità di raffreddamento massima: 5 gradi/min
Precisione del controllo: ±2 gradi
Uniformità della temperatura: ±0,5 gradi/760 mm

 

1. Posizionamento del prodotto principale

Nostrotermocoppia a profiloè un sensore di temperatura professionale multi-punto sviluppato appositamente per i settori dei semiconduttori e del fotovoltaico. Viene installato direttamente all'interno di forni ad alta-temperatura (forni a diffusione, forni di ossidazione, forni di ricottura) per misurare con precisione la distribuzione della temperatura-in tempo reale dei wafer di silicio, fornendo dati affidabili sul profilo termico per il controllo del processo e la garanzia della qualità.

2. Principali vantaggi del prodotto

✅ Monitoraggio del profilo termico ad alta-precisioneSupporta la misurazione della temperatura multi-punto da 3 a 9, fornendo dati di temperatura accurati nell'intera zona del forno per eliminare i punti ciechi e garantire un riscaldamento uniforme dei wafer di silicio.

✅ Stabilità e durata superioriRealizzato con materiali termostabili-di alta qualità, offre linearità eccellente, errore di misurazione minimo e forte resistenza allo shock termico e alle interferenze elettromagnetiche, soddisfacendo i requisiti di produzione a ciclo lungo-.

✅ Design pulito e intuitivo-processoOttimizzato per l'ambiente pulito, ad alta{0}}temperatura e a bassa-contaminazione dei forni per semiconduttori, prevenendo l'inquinamento da particelle e gli effetti negativi sui processi di produzione dei wafer.

✅ Altamente personalizzabile per la compatibilità del fornoLunghezza, diametro, materiale della guaina e metodo di installazione della sonda personalizzabili per adattarsi perfettamente alla disposizione spaziale e alle specifiche tecniche dei diversi modelli di forno.

3. Tabella delle specifiche tecniche

Prestazioni tecniche Termocoppia con profilo del forno a diffusione Termocoppia con profilo del forno di ossidazione
Tipo di laurea S, R K, N
Diametro filo/guaina φ0,35~0,5mm φ2~4mm
Intervallo di temperatura operativa 0~1100 gradi 0~950 gradi
Precisione della temperatura ±1,0 gradi ±1,5 gradi o 0,4% t
Lunghezza della guaina Inferiore o uguale a 4000 mm Inferiore o uguale a 4000 mm
Diametro guaina φ12~18 mm φ14~22 mm
Materiale della guaina Quarzo Acciaio inossidabile 310S/321
Misurazione della struttura finale Punta esposta Punta isolata
Numero di punti di misurazione 3~6 punti 3~9 punti
Tipo di connessione Connettore in miniatura Connettore in miniatura
Cavo di compensazione SC-2x0,5FPF KX(NX)-2x0,5FPF
Caratteristica dell'assieme L'assemblaggio multi-punto è complesso Le termocoppie multi-punto possono essere combinate liberamente

4. Applicazioni tipiche

Nostrotermocoppia a profiloè ampiamente utilizzato nel monitoraggio e nel controllo della temperatura ad alta-precisione per:

Forni a diffusione per semiconduttori

Forni di ossidazione dei semiconduttori

Forni di ricottura

Forni per la produzione di celle fotovoltaiche

Altre apparecchiature di processo ad alta-temperatura che richiedono la misurazione del profilo termico

Dettagli del prodotto

 

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I nostri clienti

 

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Approfondimenti sulla nostra azienda

 

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Approfondimenti sulla nostra produzione

 

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Saldatura manuale

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Saldatura automatica

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Test di isolamento

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Marcatura laser

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Gestione del magazzino

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Assemblaggio termocoppia

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Rilevamento perdite di vuoto

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Lucidatura della superficie

 

Certificazioni di qualità

 

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